国际电工委员会（IEC）正式发布了《声表面波器件用单晶晶片规范与测量方法》（IEC 62276:2025），首次明确了压电材料的光学性能标准。三安滤波器晶体团队以在材料端的研发经验，在关于透过率（晶片黑化程度）的相关技术要求和相应测量方法中做出重要贡献。
随着5G通信和物联网终端向高频化、微型化加速发展，声表面波（SAW）滤波器作为射频前端的核心组件，承担着信号选频的关键功能。据Yole Développement预测，到2026年，全球声表面波滤波器市场规模将达55亿美元。智能终端对滤波器数量和性能的需求激增，推动材料技术向更高一致性、更优光学性能演进。
2025年3月7日，国际电工委员会（IEC）正式发布《声表面波器件用单晶晶片规范与测量方法》（IEC 62276:2025），首次将压电材料的光学性能（透过率/黑化程度）纳入国际标准。该标准由中国企业主导修订，标志着我国在高端压电材料领域实现从技术跟随到规则制定的跨越。
泉州三安集成（原晶安光电团队）依托三安光电二十余年的化合物半导体研发制造经验，持续投入LN/LT压电材料制备工艺的研发，逐步掌握成熟的晶片黑化工艺。团队自2016年深度参与该项目的标准论证，在透过率的相关技术要求和相应测量方法与项目其他成员协作，讨论及验证试验，提出了多项技术性修改内容，纳入了新标准中主要的修订内容之一。
三安拥有国内少有的滤波器垂直整合产业链，构建射频前端芯片整合解决方案制造平台，持续加强工艺和材料的研发投入，积极投身行业标准的制定和提升，促进行业协同发展和产品质量标准提升，为全球头部射频设计公司提供可靠的芯片制造服务。
