近日，云汉芯城与国内功率半导体知名品牌新洁能（NCEPower）达成合作，携手为新能源、汽车电子、工业控制等领域的客户提供高可靠性功率半导体解决方案。
新洁能旗下多款高性能MOSFET及IGBT产品线已上架云汉芯城官方商城，欢迎登录云汉芯城官方商城www.ickey.cn，搜索“新洁能”或点击下图，查看更多产品信息。
新洁能 NCEPower国产功率半导体核心力量
作为国内半导体功率器件设计领域知名企业，新洁能长期专注于MOSFET、IGBT等先进功率器件的研发与制造，自2016年起连续五年入选“中国半导体功率器件十强企业”。新洁能拥有248项专利，其中发明专利122项，并掌握超结理论技术，实现屏蔽栅功率MOSFET和超结功率MOSFET的量产，是国内较早基于12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业。产品涵盖12V~1700V电压范围，种类超过1700种，以高性能和高可靠性广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、工业电源及电机驱动等领域，是国内功率半导体市场的重要供应商之一。
高性能功率器件
助力高效设计
01.NCE6003X
超低导通电阻：Rds(on)<90mΩ@Vgs=10V，有效降低导通损耗。
卓越开关性能：优化栅极电荷，开关速度快，适合高频应用。
增强可靠性：漏源电压VDS=60V，栅源电压VGS=±20V，雪崩能量 EAS=16mJEAS=16mJ，具备高耐压能力与优异的抗冲击能力。
紧凑封装：采用SOT-23封装，占板面积小，适合高密度PCB设计。
应用领域：锂电池保护板、无人机电调、便携设备电源管理。
02.NCE60P04
低导通损耗：Rds(on)最大120mΩ@Vgs=-10V，导通损耗低。
温度特性：正温度系数，易于并联使用，适合大电流应用。
优异散热性能：SOT-23-3L封装，低寄生参数，散热性能优异。
可靠性：工作温度范围-55℃至+150℃。
典型应用：工业电机驱动、电动工具、大电流DC-DC转换。
03. NCE60P50K
高性能：采用超级结技术，兼顾低导通电阻与快开关速度。
低损耗：开关损耗小，适合高频开关电源。
坚固耐用：雪崩能量高，抗浪涌能力强。
高性能封装：低热阻封装，允许更高的功率密度设计。
应用领域：光伏逆变器、PFC电源、工业电机驱动。
04.NCE01P30K
先进场截止技术：Vce(sat)典型值低至1.85V@Ic=10A，开关频率最高50kHz，实现低饱和压降与高开关频率的高效协同，显著降低导通与开关损耗。
优异温度特性：正温度系数，易于并联，支持大电流应用。
内置二极管：快速软恢复二极管，反向恢复特性优良。
应用场景：小功率变频器、电磁加热、家电控制。
免责声明：市场有风险，选择需谨慎！此文仅供参考，不作买卖依据。
